由买买提看人间百态

boards

本页内容为未名空间相应帖子的节选和存档,一周内的贴子最多显示50字,超过一周显示500字 访问原贴
EE版 - 投了2个月了,没啥好的进展,贴简历出来,大家提提意见 (转载)
相关主题
有人用Silvaco模拟过InGaP和GaAs的junction么Intel Full time Position 长期内推(HW/SW)
你们说这是为啥Postdoc position in University of Arkansas
III-V compound semiconductor engineer position请问关于InGaAs红外相机
再问个关于GaAs工艺的问题怎么找实习阿?
SES歇菜了NXP 和 Freescale 合并了
MOCVD III V epi 招人DAC上升沿与下降沿采样对衬底和电源的干扰有什么不同之处吗?
要选老板,大家帮忙看看哪个老板的方向好一点?请教如何简单准确测量semi-insulating SiC薄膜的电阻率?
华为海思招聘: Multiple areas: Semicon. Process, AP/BB and etc.真空镀铜
相关话题的讨论汇总
话题: xxx话题: engineer话题: thin话题: film话题: iii
进入EE版参与讨论
1 (共1页)
m******r
发帖数: 45
1
【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
发信人: miludear (life), 信区: JobHunting
标 题: 投了2个月了,没啥好的进展,贴简历出来,大家提提意见
发信站: BBS 未名空间站 (Sat Apr 10 14:06:02 2010, 美东)
任何意见都是欢迎的,谢谢!
XXX XXX
ADDRESSSSSSSSSSSSSS
X*[email protected] 123-456-7890
OBJECTIVE
Looking for a full time Thin Film Engineer position
KEY QUALIFICATIONS
Materials science engineer with in-depth knowledge on Group IV and III-V
compound semiconductors: GeSn, SiGeSn, GaAs, InGaAs
Demonstrated problem solving skills and troubleshooting knowledge
Ability to work
s*****7
发帖数: 975
2
thin film不好找
H*****l
发帖数: 702
3
Ohio state u?
记得OSU的人一直拿NASA的钱拼命想在Si上长III V solar cell

【在 m******r 的大作中提到】
: 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
: 发信人: miludear (life), 信区: JobHunting
: 标 题: 投了2个月了,没啥好的进展,贴简历出来,大家提提意见
: 发信站: BBS 未名空间站 (Sat Apr 10 14:06:02 2010, 美东)
: 任何意见都是欢迎的,谢谢!
: XXX XXX
: ADDRESSSSSSSSSSSSSS
: X*[email protected] 123-456-7890
: OBJECTIVE
: Looking for a full time Thin Film Engineer position

z*******r
发帖数: 113
4
人家说了撒,是Group IV 合金长在Si衬底上
Si上长3 5, 那是摸昂长,能长质量好的膜吗
搞科研的不要太昧着良心了
c*******r
发帖数: 275
5
objective 写的太狭窄了吧,除非你投不同的职位时再修改内容。
最后的skill写的太简单,没有key words,最好列一些你们领域比较特别的而你会用的
软件&硬件。。。
publication 如果写不下,列一篇你觉得最好的,然后写其他xx篇发表在xxx,xxx上面。
最后写references upon to request



essential
process
voltage

【在 m******r 的大作中提到】
: 【 以下文字转载自 JobHunting 讨论区 】
: 发信人: miludear (life), 信区: JobHunting
: 标 题: 投了2个月了,没啥好的进展,贴简历出来,大家提提意见
: 发信站: BBS 未名空间站 (Sat Apr 10 14:06:02 2010, 美东)
: 任何意见都是欢迎的,谢谢!
: XXX XXX
: ADDRESSSSSSSSSSSSSS
: X*[email protected] 123-456-7890
: OBJECTIVE
: Looking for a full time Thin Film Engineer position

m******r
发帖数: 45
6

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
还可以扩展到哪些求职领域,这个方向好窄阿??谢谢!
面。

【在 c*******r 的大作中提到】
: objective 写的太狭窄了吧,除非你投不同的职位时再修改内容。
: 最后的skill写的太简单,没有key words,最好列一些你们领域比较特别的而你会用的
: 软件&硬件。。。
: publication 如果写不下,列一篇你觉得最好的,然后写其他xx篇发表在xxx,xxx上面。
: 最后写references upon to request
:
:
:
: essential
: process

H*****l
发帖数: 702
7
他们长得挺不错的
而且caltech也在做同样的事情,用ge/sige/inp template
最后, spectrolab 也在做相同的事情
作半导体,其实很简单,不需要大脑
只要有体力和热情就行了

【在 z*******r 的大作中提到】
: 人家说了撒,是Group IV 合金长在Si衬底上
: Si上长3 5, 那是摸昂长,能长质量好的膜吗
: 搞科研的不要太昧着良心了

b*******2
发帖数: 2121
8
这个语气,好像是武汉人

【在 z*******r 的大作中提到】
: 人家说了撒,是Group IV 合金长在Si衬底上
: Si上长3 5, 那是摸昂长,能长质量好的膜吗
: 搞科研的不要太昧着良心了

j***i
发帖数: 1278
9
看来武汉人很多哈这个版上

【在 b*******2 的大作中提到】
: 这个语气,好像是武汉人
w********o
发帖数: 10088
10
太牛币了,又会mbe又会mocvd,还做的是solar cell
这个应该很好找吧
相关主题
MOCVD III V epi 招人Intel Full time Position 长期内推(HW/SW)
要选老板,大家帮忙看看哪个老板的方向好一点?Postdoc position in University of Arkansas
华为海思招聘: Multiple areas: Semicon. Process, AP/BB and etc.请问关于InGaAs红外相机
进入EE版参与讨论
D***s
发帖数: 120
11
呃...汗,您说的这个好像是给我发钱那位

【在 H*****l 的大作中提到】
: Ohio state u?
: 记得OSU的人一直拿NASA的钱拼命想在Si上长III V solar cell

w********o
发帖数: 10088
12
无所谓衬底啊,大不了用mocvd搞elo就是
Si上多层氧化铝,人家都能长出好东西

【在 z*******r 的大作中提到】
: 人家说了撒,是Group IV 合金长在Si衬底上
: Si上长3 5, 那是摸昂长,能长质量好的膜吗
: 搞科研的不要太昧着良心了

H*****l
发帖数: 702
13
ELO...

【在 w********o 的大作中提到】
: 无所谓衬底啊,大不了用mocvd搞elo就是
: Si上多层氧化铝,人家都能长出好东西

w********o
发帖数: 10088
14
我一直觉得elo是mocvd非常牛比的技术,比什么modulation有技术含量多了

【在 H*****l 的大作中提到】
: ELO...
H*****l
发帖数: 702
15
你那样lift off以后在背面作metallization
thin film 得handeling会是很大的issue
如果不elo,那么要么你能localize下去作contact (via silicon/template) 或者
template的electrical quality不错能vertical的导电,或者你在template上长
lateral conduction layer

【在 w********o 的大作中提到】
: 我一直觉得elo是mocvd非常牛比的技术,比什么modulation有技术含量多了
H*****l
发帖数: 702
16
however,either way is pain on the ass...
so fuck off silicon epi
and go back to sweet Ge

【在 H*****l 的大作中提到】
: 你那样lift off以后在背面作metallization
: thin film 得handeling会是很大的issue
: 如果不elo,那么要么你能localize下去作contact (via silicon/template) 或者
: template的electrical quality不错能vertical的导电,或者你在template上长
: lateral conduction layer

1 (共1页)
进入EE版参与讨论
相关主题
真空镀铜SES歇菜了
Re: my ideas on EEMOCVD III V epi 招人
Si .vs. other meterials要选老板,大家帮忙看看哪个老板的方向好一点?
Re: 大家谈谈GaAS工艺和Si/SiO2工艺有多少不同之处吧华为海思招聘: Multiple areas: Semicon. Process, AP/BB and etc.
有人用Silvaco模拟过InGaP和GaAs的junction么Intel Full time Position 长期内推(HW/SW)
你们说这是为啥Postdoc position in University of Arkansas
III-V compound semiconductor engineer position请问关于InGaAs红外相机
再问个关于GaAs工艺的问题怎么找实习阿?
相关话题的讨论汇总
话题: xxx话题: engineer话题: thin话题: film话题: iii